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一、電容整體圖片
二、絕緣電阻測試
對良品及漏電電容樣品進行絕緣電阻測試,漏電電容絕緣電阻阻值換算值均不符合規(guī)格書要求。
三、漏電電流測試
發(fā)現(xiàn)漏電電容的電流平均值為良品電容的 2500倍。
四、良品電容進行斷面 SEM 觀察,未發(fā)現(xiàn)異常。
五、漏電電容進行斷面金相觀察,發(fā)現(xiàn)局部介質(zhì)層有異?,F(xiàn)象。
六、漏電電容進行斷面SEM觀察,發(fā)現(xiàn)局部陶瓷介質(zhì)有異?,F(xiàn)象。
七、漏電電容進行EDS分析,其中Si為異常元素。
八、漏電電容4樣品進行斷面金相觀察,發(fā)現(xiàn)有裂縫貫穿內(nèi)電極現(xiàn)象。
九、內(nèi)電極、裂縫及介質(zhì)層位置檢出C、O、Ti、Ni、Ba元素。
【結論】:推測本次漏電不良主要為外力影響電容內(nèi)部開裂,陶瓷介質(zhì)污染(異常元素Si),影響電容內(nèi)電極間陶瓷介質(zhì)介電常數(shù),造成漏電不良。
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