一、電容整體圖片

二、絕緣電阻測試

    對(duì)良品及漏電電容樣品進(jìn)行絕緣電阻測試，漏電電容絕緣電阻阻值換算值均不符合規(guī)格書要求。

三、漏電電流測試

     發(fā)現(xiàn)漏電電容的電流平均值為良品電容的 2500倍。

四、良品電容進(jìn)行斷面 SEM 觀察，未發(fā)現(xiàn)異常。

五、漏電電容進(jìn)行斷面金相觀察，發(fā)現(xiàn)局部介質(zhì)層有異?，F(xiàn)象。

六、漏電電容進(jìn)行斷面SEM觀察，發(fā)現(xiàn)局部陶瓷介質(zhì)有異?，F(xiàn)象。

七、漏電電容進(jìn)行EDS分析，其中Si為異常元素。

八、漏電電容4樣品進(jìn)行斷面金相觀察，發(fā)現(xiàn)有裂縫貫穿內(nèi)電極現(xiàn)象。

九、內(nèi)電極、裂縫及介質(zhì)層位置檢出C、O、Ti、Ni、Ba元素。

【結(jié)論】：推測本次漏電不良主要為外力影響電容內(nèi)部開裂，陶瓷介質(zhì)污染（異常元素Si），影響電容內(nèi)電極間陶瓷介質(zhì)介電常數(shù)，造成漏電不良。